以下是學府考研老師整理的“天津大學2020年微電子學院碩士研究生入學自命題科目調整通知”相關內容,以供各位考生參考。
考天津大學2020年碩士研究生考生:
2019年碩士研究生招生業已結束,2020年碩士研究生入學考試即將于2019年10月份開始網上報名。我院2020年碩士研究生招生考試部分自命題科目及初試大綱調整,現予以說明:
序號原考試科目及代碼變更說明初試大綱
1813半導體物理或電介質物理合并為813半導體物理與器件修改,見附件
2808電磁場與電磁波取消科目,報考相應專業可選用815信號與系統
其他科目暫不修訂,科目設置及初試大綱請參考《天津大學2019年碩士學位研究生招生專業目錄》及《天津大學公布2019年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》。若有變動,以本年度9月份公布的《天津大學2020年碩士學位研究生招生專業目錄》及《天津大學公布2020年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》為準。請及時關注天津大學研究生招生信息網(yzb.tju.edu.cn)最新信息。
學院咨詢電話:27405716
附1:813半導體物理與器件大綱
813-半導體物理與器件
一、考試的總體要求
本課程為本專業主干專業基礎課,要求考生掌握半導體物理的基本概念、p-n結、MOS結構、雙極晶體管、MOS晶體管等基本原理和應用。
二、考試的內容及比例
(一)考試內容要點:
第一部分:(50%)
1、半導體能帶結構、半導體有效質量、空穴、雜質能級;
2、熱平衡狀態下半導體載流子的統計分布,本征半導體和雜質半導體的載流子濃度,簡并半導體和重摻雜效應;
3、半導體的導電性:載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應、熱載流子的概念,半導體電阻率與溫度、雜質濃度的關系,體內負微分電導;
4、非平衡載流子:非平衡載流子的產生、復合、壽命、擴散長度、準費米能級,愛因斯坦關系,一維穩定擴散,光激發載流子衰減;
5、p-n結、MOS結構:平衡與非平衡p-n結特點及其能帶圖,pn結理想和非理想I-V特性,p-n結電容概念與擊穿機制,p-n結隧道效應、肖特基勢壘二極管;
6、MOS結構表面電場效應,理想與實際MOS結構C-V特性,MOS系統的性質(固定電荷、可動離子、界面態對C-V特性的影響),表面電場對p-n結特性的影響;
第二部分:(50%)
7、雙極晶體管的基本結構、原理,少數子分布,低頻電流增益和非理想效應;
8、雙極晶體管的等效電路模型、頻率特性和開關特性;
9、MOSFET的基本結構、原理,閾值電壓,電流電壓關系,擊穿特性
10、MOSFET的小信號模型和頻率特性;
11、MOSFET的非理想特性:亞閾值特性、溝道長度調制效應、短溝道效應和;
12、結型場效應晶體管的結構和基本工作原理;
13、光器件與功率器件的原理、特點與應用。
(二)比例:
兩部分考試內容各占50%。
三、試卷題型及比例
1、概念與問答題:40%;
2、論述題:30%;
3、計算與推導題:20%;
4、實驗與綜合題:10%。
四、考試形式及時間
考試形式均為筆試。考試時間為3小時(滿分150)。
五、參考書目
半導體物理學,(第七版),劉恩科、朱秉升、羅晉生編著,電子工業出版社。
半導體物理與器件,(第四版),趙毅強、姚素英等譯,電子工業出版社。
晶體管原理與設計,陳星弼 張慶中等, 電子工業出版社。
天津大學微電子學院
2019年6月20日
附件:20190620微電子學院2020年招生自命題調整說明
天津大學微電子學院2020年碩士研究生招生自命題調整說明
報考天津大學2020年碩士研究生考生:
2019年碩士研究生招生業已結束,2020年碩士研究生入學考試即將于2019年10月份開始網上報名。我院2020年碩士研究生招生考試部分自命題科目及初試大綱調整,現予以說明:
序號
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考試科目及代碼
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變更說明
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初試大綱
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813半導體物理或電介質物理
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合并為813半導體物理與器件
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修改,見附件
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808電磁場與電磁波
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取消科目,報考相應專業可選用815信號與系統
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其他科目暫不修訂,科目設置及初試大綱請參考《天津大學2019年碩士學位研究生招生專業目錄》及《天津大學公布2019年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》。若有變動,以本年度9月份公布的《天津大學2020年碩士學位研究生招生專業目錄》及《天津大學公布2020年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》為準。請及時關注天津大學研究生招生信息網(yzb.tju.edu.cn)最新信息。
學院咨詢電話: 27405716
附1.813半導體物理與器件大綱
天津大學微電子學院
2019年6月20日
以上是學府考研老師整理的“天津大學2020年微電子學院碩士研究生入學自命題科目調整通知”相關內容,希望能對大家復習有幫助, 為大家的考研夢想助力!更多院校專業課大綱信息盡在中公考研專業課大綱頻道~
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