以下是學(xué)府考研老師整理的“天津大學(xué)2020年微電子學(xué)院碩士研究生入學(xué)自命題科目調(diào)整通知”相關(guān)內(nèi)容,以供各位考生參考。
考天津大學(xué)2020年碩士研究生考生:
2019年碩士研究生招生業(yè)已結(jié)束,2020年碩士研究生入學(xué)考試即將于2019年10月份開始網(wǎng)上報名。我院2020年碩士研究生招生考試部分自命題科目及初試大綱調(diào)整,現(xiàn)予以說明:
序號原考試科目及代碼變更說明初試大綱
1813半導(dǎo)體物理或電介質(zhì)物理合并為813半導(dǎo)體物理與器件修改,見附件
2808電磁場與電磁波取消科目,報考相應(yīng)專業(yè)可選用815信號與系統(tǒng)
其他科目暫不修訂,科目設(shè)置及初試大綱請參考《天津大學(xué)2019年碩士學(xué)位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學(xué)公布2019年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》。若有變動,以本年度9月份公布的《天津大學(xué)2020年碩士學(xué)位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學(xué)公布2020年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》為準(zhǔn)。請及時關(guān)注天津大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)(yzb.tju.edu.cn)最新信息。
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附1:813半導(dǎo)體物理與器件大綱
813-半導(dǎo)體物理與器件
一、考試的總體要求
本課程為本專業(yè)主干專業(yè)基礎(chǔ)課,要求考生掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、p-n結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)、雙極晶體管、MOS晶體管等基本原理和應(yīng)用。
二、考試的內(nèi)容及比例
(一)考試內(nèi)容要點:
第一部分:(50%)
1、半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級;
2、熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布,本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,簡并半導(dǎo)體和重摻雜效應(yīng);
3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應(yīng)、熱載流子的概念,半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系,體內(nèi)負微分電導(dǎo);
4、非平衡載流子:非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴散長度、準(zhǔn)費米能級,愛因斯坦關(guān)系,一維穩(wěn)定擴散,光激發(fā)載流子衰減;
5、p-n結(jié)、MOS結(jié)構(gòu):平衡與非平衡p-n結(jié)特點及其能帶圖,pn結(jié)理想和非理想I-V特性,p-n結(jié)電容概念與擊穿機制,p-n結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢壘二極管;
6、MOS結(jié)構(gòu)表面電場效應(yīng),理想與實際MOS結(jié)構(gòu)C-V特性,MOS系統(tǒng)的性質(zhì)(固定電荷、可動離子、界面態(tài)對C-V特性的影響),表面電場對p-n結(jié)特性的影響;
第二部分:(50%)
7、雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)、原理,少數(shù)子分布,低頻電流增益和非理想效應(yīng);
8、雙極晶體管的等效電路模型、頻率特性和開關(guān)特性;
9、MOSFET的基本結(jié)構(gòu)、原理,閾值電壓,電流電壓關(guān)系,擊穿特性
10、MOSFET的小信號模型和頻率特性;
11、MOSFET的非理想特性:亞閾值特性、溝道長度調(diào)制效應(yīng)、短溝道效應(yīng)和;
12、結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和基本工作原理;
13、光器件與功率器件的原理、特點與應(yīng)用。
(二)比例:
兩部分考試內(nèi)容各占50%。
三、試卷題型及比例
1、概念與問答題:40%;
2、論述題:30%;
3、計算與推導(dǎo)題:20%;
4、實驗與綜合題:10%。
四、考試形式及時間
考試形式均為筆試。考試時間為3小時(滿分150)。
五、參考書目
半導(dǎo)體物理學(xué),(第七版),劉恩科、朱秉升、羅晉生編著,電子工業(yè)出版社。
半導(dǎo)體物理與器件,(第四版),趙毅強、姚素英等譯,電子工業(yè)出版社。
晶體管原理與設(shè)計,陳星弼 張慶中等, 電子工業(yè)出版社。
天津大學(xué)微電子學(xué)院
2019年6月20日
附件:20190620微電子學(xué)院2020年招生自命題調(diào)整說明
天津大學(xué)微電子學(xué)院2020年碩士研究生招生自命題調(diào)整說明
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序號
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考試科目及代碼
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變更說明
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初試大綱
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813半導(dǎo)體物理或電介質(zhì)物理
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合并為813半導(dǎo)體物理與器件
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修改,見附件
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808電磁場與電磁波
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取消科目,報考相應(yīng)專業(yè)可選用815信號與系統(tǒng)
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其他科目暫不修訂,科目設(shè)置及初試大綱請參考《天津大學(xué)2019年碩士學(xué)位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學(xué)公布2019年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》。若有變動,以本年度9月份公布的《天津大學(xué)2020年碩士學(xué)位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學(xué)公布2020年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》為準(zhǔn)。請及時關(guān)注天津大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)(yzb.tju.edu.cn)最新信息。
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2019年6月20日
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