以下是學(xué)府考研老師整理的“天津大學(xué)2020年微電子學(xué)院碩士研究生入學(xué)自命題科目調(diào)整通知”相關(guān)內(nèi)容，以供各位考生參考。

　　考天津大學(xué)2020年碩士研究生考生：

　　2019年碩士研究生招生業(yè)已結(jié)束，2020年碩士研究生入學(xué)考試即將于2019年10月份開始網(wǎng)上報名。我院2020年碩士研究生招生考試部分自命題科目及初試大綱調(diào)整，現(xiàn)予以說明：

　　序號原考試科目及代碼變更說明初試大綱

　　1813半導(dǎo)體物理或電介質(zhì)物理合并為813半導(dǎo)體物理與器件修改，見附件

　　2808電磁場與電磁波取消科目，報考相應(yīng)專業(yè)可選用815信號與系統(tǒng)

　　其他科目暫不修訂，科目設(shè)置及初試大綱請參考《天津大學(xué)2019年碩士學(xué)位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學(xué)公布2019年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》。若有變動，以本年度9月份公布的《天津大學(xué)2020年碩士學(xué)位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學(xué)公布2020年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》為準(zhǔn)。請及時關(guān)注天津大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)(yzb.tju.edu.cn)最新信息。

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　　附1：813半導(dǎo)體物理與器件大綱

　　813-半導(dǎo)體物理與器件

　　一、考試的總體要求

　　本課程為本專業(yè)主干專業(yè)基礎(chǔ)課，要求考生掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、p-n結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)、雙極晶體管、MOS晶體管等基本原理和應(yīng)用。

　　二、考試的內(nèi)容及比例

　　(一)考試內(nèi)容要點：

　　第一部分：(50%)

　　1、半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級;

　　2、熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重摻雜效應(yīng);

　　3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應(yīng)、熱載流子的概念,半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系，體內(nèi)負微分電導(dǎo);

　　4、非平衡載流子：非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴散長度、準(zhǔn)費米能級，愛因斯坦關(guān)系，一維穩(wěn)定擴散，光激發(fā)載流子衰減;

　　5、p-n結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)：平衡與非平衡p-n結(jié)特點及其能帶圖，pn結(jié)理想和非理想I-V特性，p-n結(jié)電容概念與擊穿機制，p-n結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢壘二極管;

　　6、MOS結(jié)構(gòu)表面電場效應(yīng)，理想與實際MOS結(jié)構(gòu)C-V特性，MOS系統(tǒng)的性質(zhì)(固定電荷、可動離子、界面態(tài)對C-V特性的影響)，表面電場對p-n結(jié)特性的影響;

　　第二部分：(50%)

　　7、雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)、原理，少數(shù)子分布，低頻電流增益和非理想效應(yīng);

　　8、雙極晶體管的等效電路模型、頻率特性和開關(guān)特性;

　　9、MOSFET的基本結(jié)構(gòu)、原理，閾值電壓，電流電壓關(guān)系，擊穿特性

　　10、MOSFET的小信號模型和頻率特性;

　　11、MOSFET的非理想特性：亞閾值特性、溝道長度調(diào)制效應(yīng)、短溝道效應(yīng)和;

　　12、結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和基本工作原理;

　　13、光器件與功率器件的原理、特點與應(yīng)用。

　　(二)比例：

　　兩部分考試內(nèi)容各占50%。

　　三、試卷題型及比例

　　1、概念與問答題：40%;

　　2、論述題：30%;

　　3、計算與推導(dǎo)題：20%;

　　4、實驗與綜合題：10%。

　　四、考試形式及時間

　　考試形式均為筆試。考試時間為3小時(滿分150)。

　　五、參考書目

　　半導(dǎo)體物理學(xué)，(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。

　　半導(dǎo)體物理與器件，(第四版)，趙毅強、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社。

　　晶體管原理與設(shè)計，陳星弼 張慶中等， 電子工業(yè)出版社。

　　天津大學(xué)微電子學(xué)院

　　2019年6月20日

　　附件：20190620微電子學(xué)院2020年招生自命題調(diào)整說明

　　天津大學(xué)微電子學(xué)院2020年碩士研究生招生自命題調(diào)整說明

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　　附1.813半導(dǎo)體物理與器件大綱

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　　                                                                                                                    2019年6月20日

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